近期，全球存储芯片市场正经历新一轮价格飙升，三星、美光、SK海力士等头部厂商集体上调产品报价，DRAM与NAND Flash价格半年内累计涨幅超200%，部分高端产品甚至出现“一货难求”的紧缺局面。这场由AI技术驱动的涨价潮，不仅重塑了行业格局，更将存储芯片推向了全球科技竞争的核心舞台。
头部厂商集体提价，市场现“抢货”潮
2025年9月以来，存储芯片市场迎来两轮涨价周期。第一轮由NAND Flash引领，闪迪于4月率先宣布对消费类NAND产品提价超10%；第二轮则从9月全面爆发，三星、美光、SK海力士等巨头相继跟进。
其中，三星将部分DRAM价格上调15%～30%,NAND闪存涨幅达5%～10%；美光暂停所有产品报价，并通知客户价格涨幅达20%～30%；闪迪同步上调。NAND报价约10%。现货市场反应更为激烈。DDR4内存价格在不到一个月内累计上涨近30%，半年涨幅超200%;512GB NAND闪存价格单月上涨近10%。
中国存储的国产替代加速突围
在全球存储芯片市场因AI需求爆发掀起新一轮涨价潮的背景下，中国存储芯片产业正以“国产替代”为核心战略，加速突破技术壁垒，实现从“跟跑”到“并跑”的跨越。在长江存储、长鑫存储、天硕等龙头企业引领下，国产存储芯片在产能、技术、市场占有率等方面取得显著进展，成为全球半导体产业格局重构的关键力量。
作为国产存储芯片的标杆企业，长江存储在3D NAND领域实现多项技术突破。其自主研发的Xtacking架构通过垂直分离存储单元与外围电路，将等效存储密度提升至294层，位密度达15.03 Gb/mm²，超越三星、SK海力士的14.5-14.75 Gb/mm²，成为全球首个突破15 Gb/mm²密度的厂商。
目前，长江存储正推进三期扩产计划：2025年底前将月产能提升至15万片，2026年启动三期招投标，分三阶段扩产5万-6万片，2028年三期达产后总产能将达30万片/月，目标占据全球15%的NAND市场份额。
同时，长鑫存储在DRAM领域实现从技术追赶到局部领先的跨越。其DDR5产品良率达80%，单位晶圆成本较韩国厂商低15%～20%，性能对标国际大厂工艺。目前，长鑫存储DRAM产量预计达273万片/年，成为全球第四大DRAM厂商，仅次于三星、SK海力士、美光。
在这股国产替代浪潮中，天硕作为中国本土的工业级SSD代表企业，正快速崛起。天硕采用长江存储的NAND闪存与长鑫存储的DDR颗粒，并配合自研主控芯片，打造了全国产化的高可靠工业级SSD产品线。凭借在高低温环境、供电波动和长时间高负载等极端工况下的稳定表现，天硕产品已广泛应用于轨道交通、电力能源、航空航天等关键行业，成为接续国产产业链的重要一环。
全国产化产线落地，为产业自主奠定的坚持基础。2025年下半年，长江存储首条全国产化设备产线导入试产，标志着中国存储芯片产业彻底摆脱对国外设备的依赖。
而长鑫存储二期工厂聚焦15nm以下先进制程，DDR5产品性能对标三星K4X8G325EB，带宽达6400Mbps；三期工厂设备采购需求约60亿美元，国产化率超50%。目前，长鑫存储已与兆易创新、朗迪集团等A股公司形成深度协同，兆易创新董事长朱一明同时担任长鑫科技董事长，双方在DRAM技术研发及代工销售上深度合作。
当下从利基市场到主流应用，国产存储获全球客户青睐。长江存储2026年目标全球NAND市占率15%，超越美光（当前16%）进入前三；长鑫存储计划通过HBM3量产和技术迭代，进一步提升国际产品竞争力。天硕则依托国产核心器件与自研主控，在工业级SSD领域快速崛起，成为国产存储生态的重要力量。
编辑：牟玉珍
原标题：全球存储芯片“集体涨价”，长江存储、长鑫存储、天硕等国产替代加速
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